삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론 등 메모리 반도체 3대 업체는 올해 첨단 공정 웨이퍼의 35%를 고대역폭메모리(HBM) 생산에 할당할 것으로 예상된다.
20일(현지시간) 대만 시장조사업체 트렌드포스는 “3대 D램 업체들이 첨단 공정을 위한 웨이퍼 투입을 늘리고 있다”고 밝혔다.
트렌드포스는 이들 메모리 업체들이 하반기 장비 투자 확대를 통해 용량(CAPA)을 확대하고 있다고 설명했다. 그들은 연말까지 10나노미터급 4세대(1a) 나노미터 이상의 공정에 사용되는 웨이퍼가 전체 DRAM 웨이퍼 투입의 40%를 차지할 것으로 예상합니다.
첨단 공정에 사용되는 웨이퍼의 35%는 HBM 생산에 사용될 것으로 예상됩니다. HBM의 생산량은 전체 생산량 중 좋은 제품의 비율로 50%에서 60% 사이입니다. 또한 HBM은 기존 DRAM에 비해 60% 더 많은 웨이퍼 면적을 필요로 하며, 이는 메모리 산업에서 웨이퍼 투입이 증가한 이유를 설명해 준다고 트렌드포스는 밝혔다.
회사 측은 또 “나머지 웨이퍼 CAPA는 LPDDR(Low Power Double Data Rate) 5X와 DDR(Double Data Rate) 5 제품에 할당될 것”이라고 전망했다.
올해 HBM의 주류 제품은 5세대 HBM(HBM3E)으로, 하반기에 출하량이 집중될 예정이다. 트렌드포스는 “SK하이닉스는 마이크론과 협업해 HBM3E를 엔비디아에 1b 공정으로 공급하고 있으며, 삼성전자는 1a 공정을 활용해 2분기에 인증을 완료하고 올해 중반부터 납품을 시작할 예정”이라고 밝혔다.
트렌드포스는 또한 PC, 서버, 스마트폰의 콘텐츠 용량 증가로 인해 고급 프로세스 CAPA에 대한 수요가 분기마다 증가하고 있다고 언급했습니다. 특히 서버, 특히 AI 서버는 “가장 높은 CAPA 증가를 보이고 있다”고 밝혔다.
메모리 성수기가 도래함에 따라 DDR5 및 LPDDR5-5X DRAM에 대한 수요도 증가할 것으로 예상됩니다. 인텔 사파이어 래피즈(Intel Sapphire Rapids), AMD 제노아(Genoa) 등과 함께 사용되는 DDR5 DRAM은 연말까지 시장 침투율이 50%를 넘어설 것으로 예상됩니다.
그러나 HBM에 할당되는 웨이퍼의 비중이 증가함에 따라 첨단 공정을 기반으로 한 일반 제품의 생산이 제한될 수 있습니다. 트렌드포스는 “HBM4 개발이 임박함에 따라 CAPA 확대에 상당한 투자가 이뤄지지 않을 경우, HBM을 우선시하면 CAPA 제약으로 인해 DRAM 공급 부족이 발생할 수 있다”고 경고했다.
